STD26P3LLH6_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/40.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

STD26P3LLH6 是一款高質量P溝道MOSFET，采用標準TO-252-2L封裝，專為需要高效能和低功耗的應用設計。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并能承載穩定的40A漏極電流(ID)，其亮點在于僅18mΩ的低導通電阻(RD(on))，確保了優秀的能源轉換效率。此MOS管適用于電源管理、逆變器、電池保護電路等多個領域，是提升系統效能與節能效果的理想半導體組件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD26P3LLH6_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/40.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/40.0A 參數4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢