IRLR8726PBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/3.8mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRLR8726PBF 是一款N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率密度和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件具有30V的漏源電壓(VDSS)，在極低的導(dǎo)通電阻3.8mR(RD(on))下，可承載高達(dá)100A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源等領(lǐng)域，以其卓越的電流處理能力和高效能表現(xiàn)，成為提升系統(tǒng)性能和節(jié)能效果的理想半導(dǎo)體元件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRLR8726PBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/3.8mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/3.8mR 標(biāo)價：歡迎咨詢