IPD050N03LG_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/3.8mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPD050N03LG 是一款N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率、大電流應用設計。該器件具有30V的漏源電壓(VDSS)，在3.8mR的超低導通電阻(RD(on))下，能夠承載高達100A的漏極電流(ID)。廣泛應用于開關電源、電機驅動、快速充電器等領域，憑借其出色的電流處理能力和高能效表現，成為提升系統性能、降低能耗的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD050N03LG_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/3.8mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/3.8mR 標價：歡迎咨詢