PSMN4R3-30BL_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/3.8mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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此款MOS管型號為PSMN4R3-30BL ，采用高效能的N溝道設計，封裝形式為緊湊型TO-252-2L，適合各類電路板空間需求。其核心參數出色，額定電壓VDSS高達30V，連續電流ID可達100A，確保穩定工作流。尤為突出的是，其導通電阻僅為3.8mΩ，有效降低功耗并提升系統效率，是電源轉換、電機驅動等應用的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PSMN4R3-30BL_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/100.0A 參數4：RDON/3.8mR 標價：歡迎咨詢

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