NTD5867NLT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

NTD5867NLT4G N溝道MOS管采用經濟高效的TO-252-2L封裝，適用于各類電源控制和電機驅動應用。器件規(guī)格強大，具備60V的額定電壓VDSS，能穩(wěn)定處理高達20A的連續(xù)電流ID。其亮點在于導通電阻RD(on)僅為27mΩ，旨在提升能源轉換效率，降低系統損耗。這款MOS管憑借其卓越的性能表現，廣泛應用于電源轉換器、馬達驅動、開關調節(jié)器等領域，是您構建高性能電子設備的得力助手。

企業(yè)聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTD5867NLT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢