DMN6068LK3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

DMN6068LK3 N溝道MOS管采用緊湊型TO-252-2L封裝，具備優(yōu)越的電氣性能。其額定最大漏源電壓(VDSS)為60V，能夠承受高電壓工作環(huán)境，同時提供高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保強(qiáng)大驅(qū)動力。導(dǎo)通電阻僅27mΩ，有效提升系統(tǒng)工作效率，減少不必要的能量損耗。該器件適用于各類電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制應(yīng)用，是您構(gòu)建高效、節(jié)能電子系統(tǒng)的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN6068LK3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢