IPD80P03P4L-07_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IPD80P03P4L-07 P溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，具有優(yōu)秀的散熱性能和高可靠性。該器件工作電壓VDSS高達(dá)30V，可持續(xù)提供70A的漏極電流ID，滿足大電流應(yīng)用需求。其亮點(diǎn)在于僅8mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是針對(duì)高功率密度和低電阻應(yīng)用的理想半導(dǎo)體解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IPD80P03P4L-07_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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