IPD80P03P4L-07_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPD80P03P4L-07 P溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，具有優秀的散熱性能和高可靠性。該器件工作電壓VDSS高達30V，可持續提供70A的漏極電流ID，滿足大電流應用需求。其亮點在于僅8mΩ的導通電阻RD(on)，有效減少功率損耗，提升系統效率。這款MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是針對高功率密度和低電阻應用的理想半導體解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD80P03P4L-07_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢

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