FQD13N06L_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FQD13N06L 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型TO-252-2L封裝，適合各種空間受限的設(shè)計需求。器件能在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，持續(xù)輸出20A的漏極電流(ID)，特別適用于高電壓、大電流應(yīng)用環(huán)境。其27mΩ的低導(dǎo)通電阻保證了高能效與低功耗表現(xiàn)，被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等領(lǐng)域，是您實現(xiàn)高效、穩(wěn)定電子系統(tǒng)的優(yōu)質(zhì)組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FQD13N06L_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標價：歡迎咨詢