NP15P04SLG_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/31.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NP15P04SLG 是一款P溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為處理高電壓、大電流應(yīng)用場合設(shè)計。器件具有高達(dá)40V的電壓VDSS，能持續(xù)承載25A的漏極電流ID，充分展現(xiàn)其出色的電流處理能力。導(dǎo)通電阻RD(on)僅為31mΩ，有效減少功率損耗，提升整體能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，NP15P04SLG MOS管是您構(gòu)建高效節(jié)能電路的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NP15P04SLG_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/31.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/31.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢