FQD7P06_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FQD7P06 是一款采用TO-252-2L封裝的P溝道MOS管，專為高效能電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有60V的高額定電壓VDSS，可穩(wěn)定處理10A連續(xù)電流，且其導(dǎo)通電阻RD(on)低至125mR，從而有效減小功率損耗，提升系統(tǒng)整體能效。憑借優(yōu)良的電氣參數(shù)和可靠性能，F(xiàn)QD7P06 廣泛應(yīng)用在電源轉(zhuǎn)換、馬達(dá)驅(qū)動以及各類中低壓開關(guān)電路中，是您的電路設(shè)計(jì)不可或缺的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FQD7P06_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢