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IRFR110TRPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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IRFR110TRPBF N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，適用于100V高電壓系統(tǒng)中的中等電流應用。器件具有高達100V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高壓條件下穩(wěn)定工作。盡管導通電阻RD(on)為100mR，但在對應的電流負載下仍能保持適宜的能效。該MOS管被廣泛應用于開關電源、電機驅動、電池管理系統(tǒng)等領域，是工程師在設計過程中尋求性能與成本平衡的優(yōu)選半導體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFR110TRPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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