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              IRFR110TRPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數1:N溝道 參數2:VDSS/100.0V 參數3:ID/15.0A 參數4:RDON/100.0mR 標價:歡迎咨詢

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              產品介紹

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              IRFR110TRPBF N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝,適用于100V高電壓系統中的中等電流應用。器件具有高達100V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續漏極電流(ID),確保在高壓條件下穩定工作。盡管導通電阻RD(on)為100mR,但在對應的電流負載下仍能保持適宜的能效。該MOS管被廣泛應用于開關電源、電機驅動、電池管理系統等領域,是工程師在設計過程中尋求性能與成本平衡的優選半導體元件。



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