IRLR120NPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

IRLR120NPBF N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，專為100V高電壓環(huán)境下的中等電流應(yīng)用設(shè)計。器件具備高達100V的漏源電壓(VDSS)和15A連續(xù)漏極電流(ID)的能力，確保在高電壓系統(tǒng)中的穩(wěn)定運行。導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR，盡管電阻略高，但依然可在適度電流條件下提供可靠的功率轉(zhuǎn)換性能。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機控制、電池管理系統(tǒng)等場景，是尋求高性價比解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

^{<blockquote id="0qu3e"></blockquote>}

IRLR120NPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢