NTD20P06L_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTD20P06L 是一款P溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝形式，專為高效率電源管理方案打造。該器件具有強(qiáng)大的耐壓性能，VDSS可達(dá)60V，能夠承載最大連續(xù)電流ID10A，同時(shí)具備優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻特性，RD(on)僅為125mR，顯著減少能量損耗并優(yōu)化系統(tǒng)效能。這款MOS管在確保穩(wěn)定運(yùn)行的同時(shí)，滿足了緊湊型設(shè)計(jì)需求，是各種電源控制、切換應(yīng)用的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NTD20P06L_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/10.0A 參數(shù)4：RDON/125.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢