FDD8451_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDD8451 是一款高功率N溝道MOS管，采用穩(wěn)固且散熱優(yōu)良的TO-252-2L封裝，適于大電流應用場合。其擁有40V的高額定電壓VDSS及驚人的30A連續(xù)電流ID能力，充分展示了卓越的電力處理效能。此外，18mΩ的低導通電阻RD(on)設計進一步減少了電能損耗，顯著提升了系統(tǒng)運行效率，是高端電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等領域的理想半導體解決方案。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD8451_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標價：歡迎咨詢