IPD042P03L3G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.7mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IPD042P03L3G 是一款高性能P溝道MOSFET，采用散熱良好的TO-252-2L封裝，專為大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件提供30V的額定電壓VDSS，可承載高達(dá)120A的連續(xù)電流ID，彰顯其卓越的電力處理能力。其獨(dú)特的3.7mΩ導(dǎo)通電阻RD(on)設(shè)計(jì)，確保了在高電流下仍能維持極低功耗，提升系統(tǒng)效率。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)以及大電流負(fù)載開關(guān)等場景，是您實(shí)現(xiàn)高功率、高效能半導(dǎo)體解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD042P03L3G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.7mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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