IRFU4105ZPBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFU4105ZPBF 是一款高性能N溝道MOSFET，采用通用型TO-252-2L封裝，適用于各類電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其關(guān)鍵參數(shù)包括最大漏源電壓(VDSS)高達(dá)60V，能夠穩(wěn)定承載50A的漏極電流(ID)，尤其引人注目的是其低至15mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，大大提升了系統(tǒng)工作效率并降低了能量損耗。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IRFU4105ZPBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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