AOD442G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AOD442G 是一款高效的N溝道MOSFET，采用小型化的TO-252-2L封裝，專為空間有限的設(shè)計方案而優(yōu)化。其關(guān)鍵性能指標包括最高承受60V的漏源電壓，能夠穩(wěn)定處理50A的連續(xù)電流，尤其突出的是，僅有15mR的低導通電阻，確保在運行過程中能量損耗最小化，提升系統(tǒng)效率。廣泛應用在電源轉(zhuǎn)換、電機控制和其他高電流開關(guān)電路設(shè)計中，展現(xiàn)出卓越的性能表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AOD442G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢