STD60NF06T4_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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STD60NF06T4 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，適配廣泛電路設計需求。該器件具有60V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載高達50A的連續漏極電流(ID)，并展現出極低的15mΩ導通電阻(RD(on))，確保在大電流操作下仍保持高效率、低損耗。這款MOS管適用于各類高功率應用場景，如電源轉換、電機驅動、逆變器等，為您的設備提供強勁、穩定的電流控制解決方案。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD60NF06T4_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢