RD3P200SNFRATL_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

RD3P200SNFRATL 是一款高性能N溝道MOSFET，采用行業(yè)標準TO-252-2L封裝，適用于高功率、大電流應(yīng)用場景。該器件具備100V的高耐壓值和高達30A的連續(xù)電流承載力，確保在電力轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等領(lǐng)域的穩(wěn)定運作。其引人注目的35mΩ導(dǎo)通電阻使得在大電流工作狀態(tài)下的能量損耗降至最低，從而提高整體能效。這款MOS管是實現(xiàn)高效、節(jié)能電子系統(tǒng)的首選元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RD3P200SNFRATL_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標價：歡迎咨詢