IPD30N10S3L34_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/35.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPD30N10S3L34 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率、大電流應用定制。該器件可在100V的高電壓下工作，提供30A的持續電流處理能力，特別適合于電源轉換、電機驅動等嚴苛環境。其出色的35mΩ導通電阻特性大大降低了功率損耗，實現了卓越的系統能效。選擇IPD30N10S3L34 MOS管，即為您的設計注入澎湃動力與高效節能的靈魂。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD30N10S3L34_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/35.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/35.0mR 標價：歡迎咨詢