NTD6415ANLT4G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

NTD6415ANLT4G是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型TO-252-2L封裝，適用于高功率、大電流應(yīng)用場合。該器件具備100V的高耐壓和30A的連續(xù)電流處理能力，特別適合于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等高要求領(lǐng)域。其導(dǎo)通電阻僅為35mΩ，有效減少了功率損耗，提高了整體能效。NTD6415ANL MOS管是您設(shè)計高效、節(jié)能電子系統(tǒng)的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

NTD6415ANLT4G_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標價：歡迎咨詢