FDD3860_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDD3860 是一款高性能N溝道MOSFET，采用常見的TO-252-2L封裝，特別適合于高電壓、大電流應(yīng)用場景，如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。該器件能承受100V的工作電壓，并支持30A的連續(xù)電流，具有出色的電流處理能力。其導(dǎo)通電阻低至35mΩ，有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)能效。選擇FDD3860 MOS管，將為您帶來更加穩(wěn)定、高效的電路設(shè)計(jì)體驗(yàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

FDD3860_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/35.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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