DMN3016LK3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

DMN3016LK3 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，適用于高功率應用場合。器件具有出色電氣參數工作電壓VDSS高達30V，可承載高達50A的連續(xù)電流ID，尤為突出的是其超低導通電阻RD(on)僅為7.5mR，確保了在大電流下的高效能與低熱損。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、逆變器和電池管理系統等領域，是優(yōu)化系統能效、增強可靠性的理想半導體組件。

企業(yè)聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

DMN3016LK3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/50.0A 參數4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢