PHD71NQ03LT_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

PHD71NQ03LT 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經(jīng)濟高效的TO-252-2L封裝，專為高電流應用設(shè)計。其主要特性包括工作電壓VDSS高達30V，具備強勁的電流承載能力，最大連續(xù)電流ID高達50A；并且具備極低的導通電阻RD(on)僅為7.5mR，從而確保在大電流操作時保持高效能與低發(fā)熱。此款MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、儲能系統(tǒng)以及各類高功率開關(guān)應用，是提高系統(tǒng)性能與可靠性的理想半導體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

PHD71NQ03LT_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢