IPD30N03S2L-10_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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IPD30N03S2L-10 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率、大電流應(yīng)用設(shè)計。該器件具有出眾的電氣參數(shù)工作電壓VDSS高達30V，連續(xù)電流ID最高可達60A，且擁有極低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為7mR，確保在大電流環(huán)境下也能保持高效能和低熱損耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等場合，是提升系統(tǒng)能效、強化可靠性的不二之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD30N03S2L-10_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢