IRFR3707ZPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFR3707ZPBF 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為高功率、大電流應(yīng)用場合設(shè)計。該器件具有卓越的電氣性能工作電壓VDSS高達30V，可承載高達60A的連續(xù)電流，且擁有極低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為7mR，確保在大電流運行下依舊保持高效能與低損耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等高功率領(lǐng)域，是提升系統(tǒng)能效和可靠性的理想半導(dǎo)體組件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFR3707ZPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.0mR 標價：歡迎咨詢