FDD8870_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

MOS管FDD8870 采用先進(jìn)工藝打造的N溝道MOSFET，封裝形式為TO-252-2L，具有高效能與高可靠性。其耐壓值高達(dá)VDSS30V，連續(xù)漏極電流可達(dá)ID120A，展現(xiàn)出強(qiáng)大的電流承載能力。更值得關(guān)注的是，該器件擁有出色的導(dǎo)通電阻僅為3mΩ，大大降低了功耗并提升系統(tǒng)效率，是各類電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDD8870_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢