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              FDD8870_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

              品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/120.0A 參數(shù)4:RDON/3.0mR 標(biāo)價:歡迎咨詢

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              產(chǎn)品介紹

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              MOS管FDD8870 采用先進(jìn)工藝打造的N溝道MOSFET,封裝形式為TO-252-2L,具有高效能與高可靠性。其耐壓值高達(dá)VDSS30V,連續(xù)漏極電流可達(dá)ID120A,展現(xiàn)出強(qiáng)大的電流承載能力。更值得關(guān)注的是,該器件擁有出色的導(dǎo)通電阻僅為3mΩ,大大降低了功耗并提升系統(tǒng)效率,是各類電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用的理想選擇。

              企業(yè)聯(lián)系方式
              • 深圳市華軒陽電子有限公司
              • 高新企業(yè)

              • 聯(lián) 系 人:張婉儀
              • 聯(lián)系電話:18929373249
              • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014