NTD4804N_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

NTD4804N MOS管是一款高性能N溝道功率器件，封裝采用緊湊型TO-252-2L，適用于各類(lèi)空間有限的電路設(shè)計(jì)。此款MOS管具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，提供高達(dá)120A的連續(xù)漏極電流(ID)，保證了卓越的電力處理能力。其亮點(diǎn)在于超低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅3mΩ，有效減少能量損耗，提高系統(tǒng)工作效率，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)及其它電力電子領(lǐng)域。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

NTD4804N_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤(pán) 參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/120.0A 參數(shù)4：RDON/3.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)