AOD210_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AOD210 N溝道MOS管，封裝采用小型高效的TO-252-2L，專為緊湊型設(shè)計和高功率應(yīng)用打造。器件具有30V的最大漏源電壓(VDSS)，并支持高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)強勁電力處理能力。尤其引人注目的是其行業(yè)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻僅為2mΩ(RD(on))，有助于大幅降低系統(tǒng)內(nèi)阻損耗，提升整體效能。廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源、高頻開關(guān)電路、電動工具驅(qū)動等場景，是實現(xiàn)高效率、低功耗的理想半導(dǎo)體元件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AOD210_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢