IPD90N03S4L-03_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

IPD90N03S4L-03 是一款高功率N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，適用于大電流、高效率的電路設計。器件特點包括最大漏源電壓(VDSS)30V，可承受高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，尤其突出的是其超低導通電阻(RD(on))僅為2mR，確保在大電流應用中實現卓越的能效比。此款MOS管廣泛應用于電源轉換、電動車充電設備、太陽能逆變器等高功率領域，是系統(tǒng)效能優(yōu)化的理想選擇。

企業(yè)聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPD90N03S4L-03_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢