SQD19P06-60L_GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SQD19P06-60L_GE3 P溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，專為緊湊型、高效率電源設計。該器件提供60V的峰值漏源電壓(VDSS)，并支持高達30A的連續漏極電流(ID)，確保在中高壓環境下穩定工作。其導通電阻RD(on)為48mΩ，雖然不是最低，但兼顧了性能與成本，適合應用于負載開關、電源轉換、低壓電機驅動等領域，是尋求可靠性和性價比平衡方案的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SQD19P06-60L_GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢