SUD19P06-60-GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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SUD19P06-60-GE3 P溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，面向中高電壓應用市場。該器件具有60V的漏源擊穿電壓(VDSS)，能夠持續提供30A的漏極電流(ID)，保障在多種電源轉換與控制場景下的穩定運行。其導通電阻RD(on)為48mΩ，在滿足大多數常規應用需求的同時，兼顧了成本與效能。適用范圍包括電源開關、電機驅動、適配器設計等，是尋找經濟實用解決方案的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SUD19P06-60-GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/30.0A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢