AUIRFR5305TR_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AUIRFR5305TR P溝道MOS管采用了TO-252-2L封裝形式，專為中高電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計。該器件提供60V的最大漏源電壓(VDSS)，支持30A的連續(xù)漏極電流(ID)，保證在嚴苛條件下的穩(wěn)定性能輸出。導(dǎo)通電阻RD(on)為48mΩ，能夠在滿足功率轉(zhuǎn)換需求的同時，保持良好的能效比。適用于電源管理、電機驅(qū)動、電池保護等領(lǐng)域，是尋求可靠、高效、經(jīng)濟解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AUIRFR5305TR_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢