RD3P050SNTL1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

RD3P050SNTL1 N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，針對100V高電壓下的中等電流應用設計。該器件提供高達100V的漏源電壓(VDSS)和15A的連續漏極電流(ID)，在高壓環境中表現出色。盡管其導通電阻RD(on)為100mR，但依舊能在適當的電流級別上確保穩定和有效的功率傳輸。廣泛適用于開關電源、電機驅動控制、電池管理系統等領域，是兼具性能與經濟效益的優質半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RD3P050SNTL1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/100.0V 參數3：ID/15.0A 參數4：RDON/100.0mR 標價：歡迎咨詢