RFD12N06RLES_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

RFD12N06RLES 是一款高品質(zhì)N溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，不僅擁有小巧的體積，還具有良好的散熱性能。該器件能在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，持續(xù)提供高達(dá)20A的漏極電流(ID)，特別適應(yīng)于高電壓、大電流的工作環(huán)境。其出色的導(dǎo)通電阻RD(on)低至27mΩ，有助于提高系統(tǒng)能效，減少功率損耗。適用于電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制器等各種場(chǎng)合，是您構(gòu)建高效穩(wěn)定電子系統(tǒng)的優(yōu)質(zhì)選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

RFD12N06RLES_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢