RSD140P06_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/55.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

RSD140P06 是一款高性能P溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。器件擁有60V的漏源電壓(VDSS)耐受能力，可持續(xù)處理高達(dá)20A的漏極電流(ID)。其卓越之處在于導(dǎo)通電阻RD(on)僅為55mR，有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、逆變器和大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場景，是高功率、低損耗半導(dǎo)體解決方案的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

RSD140P06_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/55.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/55.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢