FDD8445_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDD8445 是一款高性能N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，適用于各類高功率應(yīng)用。器件亮點(diǎn)包括最大漏源電壓(VDSS)高達(dá)40V，可輕松承載60A的連續(xù)漏極電流(ID)，并具有業(yè)界領(lǐng)先的7.7mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在大電流傳輸中實(shí)現(xiàn)極高的能效比。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

FDD8445_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.7mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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