AOD66406_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.7mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

AOD66406 N溝道MOS管采用TO-252-2L封裝，針對大電流、高效率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計。器件支持高達(dá)40V的漏源電壓VDSS，可穩(wěn)定承載60A連續(xù)漏極電流，滿足高強度電力轉(zhuǎn)換需求。其核心優(yōu)勢在于業(yè)界領(lǐng)先的7.7mR導(dǎo)通電阻RD(on)，在保證強大電流傳輸?shù)耐瑫r，顯著減少能量損耗，提升系統(tǒng)效能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AOD66406_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.7mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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