SUD45P03-09-GE3_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SUD45P03-09-GE3 是一款P溝道MOS管，采用高效散熱的TO-252-2L封裝，適用于大電流應(yīng)用環(huán)境。該器件支持高達(dá)30V的漏源電壓(VDSS)，并能安全處理70A的連續(xù)電流，體現(xiàn)出卓越的電力傳輸能力。其引人注目的特點(diǎn)是僅8mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效提升系統(tǒng)能效，減少功率損耗，是電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和高功率電子設(shè)備的理想組件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

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SUD45P03-09-GE3_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢