SUD45P03-09-GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SUD45P03-09-GE3 是一款P溝道MOS管，采用高效散熱的TO-252-2L封裝，適用于大電流應用環境。該器件支持高達30V的漏源電壓(VDSS)，并能安全處理70A的連續電流，體現出卓越的電力傳輸能力。其引人注目的特點是僅8mR的導通電阻(RD(on))，有效提升系統能效，減少功率損耗，是電源開關、電機驅動和高功率電子設備的理想組件選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SUD45P03-09-GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/70.0A 參數4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢