STD10NF10T4_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

STD10NF10T4 N溝道MOS管，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，專為中等功率、高電壓應(yīng)用設(shè)計。該器件具備100V的最大漏源電壓(VDSS)，可支持15A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運作。其導(dǎo)通電阻RD(on)為100mR，雖非業(yè)內(nèi)最低，但依然能在適度電流應(yīng)用中展現(xiàn)良好效能。適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、一般電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用場景，是兼具性能與性價比的優(yōu)選半導(dǎo)體器件。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

STD10NF10T4_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/100.0V 參數(shù)3：ID/15.0A 參數(shù)4：RDON/100.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢