SIS413DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/55.0A 參數4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SIS413DN-T1-GE3 P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為節省空間及高密度電路設計。本器件的核心參數優秀額定電壓VDSS高達30V，提供穩定的30V電壓下操作環境；支持高達55A的連續漏極電流，展現強大的電流處理能力；8mΩ的超低導通電阻RD(on)，確保高效能與低功耗運行。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等場景，是現代高效能電子產品的理想之選。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIS413DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/55.0A 參數4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：P溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/55.0A 參數4：RDON/8.0mR 標價：歡迎咨詢