BSZ130N03MSG_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/9.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

BSZ130N03MSG 型號MOS管是一款高效能N溝道半導(dǎo)體器件，采用小型化DFN3X3-8L封裝設(shè)計，專為高密度電路板應(yīng)用優(yōu)化。其強(qiáng)大之處在于擁有30V的耐壓等級VDSS，以及驚人的30A連續(xù)電流ID承載力，充分展現(xiàn)卓越的功率管理能力。尤為突出的是，導(dǎo)通電阻低至9mR，顯著提升能源利用率和系統(tǒng)效能。本產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在電源管理、馬達(dá)驅(qū)動等各種領(lǐng)域，出廠前已進(jìn)行嚴(yán)苛品質(zhì)測試，確保為您提供一流的性能和穩(wěn)定性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BSZ130N03MSG_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/9.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/9.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢