FDMC8878_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/9.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

FDMC8878 型號MOS管是一款高集成度N溝道半導(dǎo)體器件，采用節(jié)省空間的DFN3X3-8L封裝設(shè)計，尤其適合于緊湊型電子產(chǎn)品。其核心參數(shù)包括30V的額定電壓VDSS，以及強(qiáng)大的30A連續(xù)電流ID處理能力，彰顯卓越的功率控制性能。此外，該器件導(dǎo)通電阻僅為9mR，顯著提高了能源效率并降低了系統(tǒng)損耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動等高功率場景，且每一顆MOS管出廠前均經(jīng)過嚴(yán)格品質(zhì)測試，以確保卓越的性能與穩(wěn)定性。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

FDMC8878_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/9.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/9.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢