SI7216DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/17.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SI7216DN-T1-GE3 型號MOS管是一款高性能NN溝道半導體元件，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為現代電子產品的節能與小型化設計。該器件具備40V的額定電壓VDSS，能穩定承受20A的連續電流ID，突顯出卓越的功率處理能力。同時，其17mR的超低導通電阻有效提升了能源效率，降低了系統損耗。廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等場景，出廠前經過嚴格質檢，確保在不同應用環境下都能展現卓越且穩定的性能表現。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SI7216DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N+N溝道 參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/17.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N+N溝道參數2：VDSS/40.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/17.0mR 標價：歡迎咨詢