RQ3E130MN_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

RQ3E130MN 是一款高性能N溝道MOSFET，采用小型化DFN3X3-8L封裝，專為大電流、低阻抗應用設計。器件提供30V的漏源電壓(VDSS)，在6mR的超低導通電阻(RD(on))下，能夠承載高達60A的漏極電流(ID)。廣泛應用于開關電源、電池管理系統、電機驅動等領域，憑借其出色的電流承載能力和卓越的能效性能，是優化系統效能、降低能耗的理想半導體元件。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

RQ3E130MN_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/60.0A 參數4：RDON/6.0mR 標價：歡迎咨詢