CSD25402Q3A_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/48.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

CSD25402Q3A P溝道MOS管采用精巧DFN3X3-8L封裝，實現(xiàn)高效空間利用。本器件具備20V的額定電壓VDSS，能夠承受高達48A的連續(xù)漏極電流ID，彰顯出超強的電流處理能力。其核心優(yōu)勢在于超低導通電阻RD(on)僅為7.5mΩ，顯著提升系統(tǒng)能效，減小功率損耗。這款MOS管廣泛適用于電源切換、電池保護等多種應用場景，憑借卓越的性能表現(xiàn)與緊湊封裝設計，CSD25402Q3A 成為了高功率密度應用的理想半導體選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CSD25402Q3A_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/48.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/48.0A 參數(shù)4：RDON/7.5mR 標價：歡迎咨詢