BUK9M85-60EX_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/31.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

BUK9M85-60EX 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，特別適合于空間受限且需要高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。其具備60V的高耐壓VDSS和20A的連續(xù)電流ID處理能力，即使在大電流工況下也能穩(wěn)定工作。31mR的低導(dǎo)通電阻RD(on)設(shè)計有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動控制、車載充電等領(lǐng)域，是您追求高效節(jié)能解決方案的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BUK9M85-60EX_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/31.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/31.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢