SI7121DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：P溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SI7121DN-T1-GE3 是一款采用緊湊型DFN3X3-8L封裝的高性能P溝道MOSFET，專為高功率密度應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件提供30V的額定電壓VDSS，最大連續(xù)漏極電流可達(dá)25A，體現(xiàn)卓越的電流處理能力。尤為突出的是其低至16mΩ的導(dǎo)通電阻RD(on)，大幅減少功率損耗，提升能源利用效率。廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)及大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，SI7121DN-T1-GE3 MOS管是您實(shí)現(xiàn)高效、可靠電路設(shè)計(jì)的理想之選。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

SI7121DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/25.0A 參數(shù)4：RDON/16.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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