IRFHM8329PBF_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

IRFHM8329PBF MOS管采用先進(jìn)的DFN3X3-8L封裝技術(shù)，是一款高效的N溝道MOSFET器件。其特性包括30V的最大漏源電壓VDSS，以及強(qiáng)大的100A連續(xù)電流ID承載能力，展現(xiàn)了出色的電力控制性能。此外，該器件具有的超低導(dǎo)通電阻RD(on)僅4mR，旨在大幅度降低能耗，提升系統(tǒng)能效，尤其適用于對功率密度和效率有較高要求的開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，為您的高端電子設(shè)計(jì)提供堅(jiān)實(shí)保障。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IRFHM8329PBF_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢