SIS414DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

SIS414DN-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為高密度電子設(shè)計(jì)打造。在30V的最大漏源電壓(VDSS)下，可承載高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流(ID)，滿足大電流應(yīng)用需求。其突出的15mΩ導(dǎo)通電阻，有效提升系統(tǒng)效率，減少功耗。廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電池保護(hù)等電路設(shè)計(jì)，是高性能、低電阻解決方案的理想選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

SIS414DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢