SIS414DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

SIS414DN-T1-GE3 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為高密度電子設計打造。在30V的最大漏源電壓(VDSS)下，可承載高達20A的連續漏極電流(ID)，滿足大電流應用需求。其突出的15mΩ導通電阻，有效提升系統效率，減少功耗。廣泛應用于電源管理、馬達驅動、電池保護等電路設計，是高性能、低電阻解決方案的理想選擇。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIS414DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數1：N溝道參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/20.0A 參數4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢